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  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:南京大学 上传者:刘佳 上传时间:2016-06-15

    摘要:本文提出了一种适用于双通道路由器构建的片上网络系统的网络接口.该网络接口集成IP核一侧采用AMBA协议,网络一侧同时兼容3种片上通信协议以适应不同的NoC应用环境.在该设计中微码控制器通过加载并执行微程序控制整个接口...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:南京大学 上传者:于静 上传时间:2016-06-15

    摘要:以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Z...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:南京大学 上传者:张祖宇 上传时间:2016-06-15

    摘要:通过采用O2与N2O按照一定的流量比作为反应气源,利用MOCVD方法实现了较低电阻率的N掺杂ZnO薄膜。实验分别研究了改变O2与N2O流量比和改变衬底温度对于薄膜电学性质的影响,并利用Raman光谱与Hall测试结果...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:南京大学 上传者:匡翼云 上传时间:2016-06-15

    摘要:研究了高质量的Ga、Mn共掺ZnO外延薄膜的电子结构和光学特性,这些薄膜通过MOCVD沉积在蓝宝石(0001)面上。结果显示单Mn掺杂时的样品呈现高阻p型,Ga和Mn共掺时呈现n型,而载流子浓度出现一个最大值,然后随...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:南京大学 上传者:李广阔 上传时间:2016-06-15

    摘要:采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的影响。结果表明,低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:南京大学 上传者:张青 上传时间:2016-06-15

    摘要:用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、喇曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xG...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:南京大学 上传者:郭兴正 上传时间:2016-06-15

    摘要:利用CVD的方法在Al N/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、喇曼散射(Raman scattering)对所得样品的结构特征...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:南京大学 上传者:何克祥 上传时间:2016-06-15

    摘要:使用MOCVD直接外延r面蓝宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]和[100]方向横向关联长度分别为41.9、14.8nm,解释了面内各向异性...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:南京大学 上传者:胥昊 上传时间:2016-06-15

    摘要:对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示,非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:南京大学 上传者:孟大鹏 上传时间:2016-06-15

    摘要:利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第...

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