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  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:北京大学 上传者:董彦佼 上传时间:2016-06-15

    摘要:采用两管模型分析了新型深亚微米SOI推进型栅控混合管的工作机制 ,该器件有效地改善了传统MOS器件中提高速度和降低功耗之间的矛盾 ,并且大大提高了输出电阻 .在此基础上提出了该器件的亚阈电流模型 .模型中考虑了横向非...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:北京大学 上传者:秦岭 上传时间:2016-06-15

    摘要:在领域工程中识别、描述和实现变化性 ,对应用系统的开发具有重要的指导意义和直接作用 .其中在领域设计阶段 ,建立比较合理、比较灵活的DSSA ,将系统的可变部分与固定部分分离开来 ,将系统成分在DSSA和构件之间进行...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:北京大学 上传者:孙巍 上传时间:2016-06-15

    摘要:多范例并行是大规模并行应用系统的本质特征 ,实现 p- HPF对多范例并行计算的编译支持不仅可以弥补数据并行范例本身的一些缺点 ,而且可以提高并行应用系统的效率 .文中在论述 cluster环境下 Global,L ...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:北京大学 上传者:杜若愚 上传时间:2016-06-15

    摘要:快速高效地开发编译器对体系结构研究有重要意义。可重定义目标编译器将编译器中与体系结构相关的部分进行了较好的隔离。只需要修改与目标机相关的部分,就可以快速生成新的编译器。该文就可重定义目标编译器的概念、原理、设计和实现...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:北京大学 上传者:吕研 上传时间:2016-06-15

    摘要:报道了正向栅控二极管 R- G电流法表征 F- N电应力诱生的 SOI- MOSFET界面陷阱的实验及其结果 .通过体接触的方式实现了实验要求的 SOI- MOSFET栅控二极管结构 .对于逐渐上升的累积应力时间 ,...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:北京大学 上传者:赵建青 上传时间:2016-06-15

    摘要:对佛克脱 (Voigt)型反常色散原子滤光器的工作机理和各种性能进行讨论 ,该种滤光器的实验研究表明理论与实验结果符合得很好。滤光器在外加磁场为 0 0 2T、汽室温度为 110℃的单峰带宽为 0 8GHz,比相...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:北京大学 上传者:蒋梅巧 上传时间:2016-06-15

    摘要:使用半导体器件数值分析工具 DESSISE- ISE,对正向栅控二极管 R- G电流表征 NMOSFET沟道 pocket或halo注入区进行了详尽的研究 .数值分析表明 :由于栅控正向二极管界面态 R- G电流的特...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:北京大学 上传者:王越华 上传时间:2016-06-15

    摘要:本文介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路新结构———DCA(Direct injectionChargeAmpli fier)结构 .该结构像素电路仅用 4个MOS管 ,采用特殊的版图设计并用PMOS管做...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:北京大学 上传者:张冬梅 上传时间:2016-06-15

    摘要:以磁控溅射方法于 p- Si上淀积富硅二氧化硅 ,形成富硅二氧化硅 /p- Si结构 ,用金刚刀在其正面刻划出方形网格后在 N2 气氛中退火 ,其光致发光 (PL)谱与未刻划的经同样条件退火的对比样品的 PL 谱有很...

  • 分类:工业技术 格式:PDF 积分:0 机构:北京大学 上传者:陈秀霞 上传时间:2016-06-15

    摘要:本文研究平行平面穿通结击穿电压的计算 .首先根据电离率积分方程得出以归一化外延层厚度为变量的穿通结击穿电压拟合表达式 ,然后以此为基础 ,比较了另两种解析方法计算穿通结击穿电压的结果 .分析表明 :校正临界电场法可给...

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