ZnO/ZnCdO和ZnO/ZnMgO超晶格的子带研究

资源类型: 资源大小: 文档分类:工业技术 上传者:吴冰

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【作者】 雷红文  张红  王雪敏  赵妍  阎大伟  沈昌乐  吴卫东 

【关键词】ZnCdO ZnMgO 量子级联激光器 粒子数反转 跃迁矩阵 

【出版日期】2013-06-25

【摘要】ZnO是具有3.37 eV的宽禁带半导体材料,近年来引起了众多研究者的兴趣。Zn1-xCdxO和Zn1-xMgxO很好地实现了对ZnO能带的减小和增大。采用较为简单的一维K P势模型结合有效质量理论得到了ZnO/Zn1-xCdxO及ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱的能量色散关系,以及子带的MeV跃迁与超晶格带阶、阱垒宽度之间的关系。将该多量子阱应用于太赫兹量子级联激光器(THz QCL)有源区,对粒子数反转和跃迁矩阵进行了相关讨论。

【刊名】太赫兹科学与电子信息学报

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