BaNb_xTi_(1-x)O_3薄膜的电学性质及结构相变(英文)

资源类型: 资源大小: 文档分类:数理科学和化学 上传者:谢志坤

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【关键词】钙钛矿氧化物薄膜 小极化子 金属-绝缘体转变 

【出版日期】2005-03-30

【摘要】我们利用激光分子束外延设备(L MBE)在MgO上外延生长了一系列BaNbxTi1-xO3(0 <x≤0 .5 )薄膜。X射线和Raman测量显示薄膜随Nb掺杂量的增加从四方相转变为立方相。同时电学测量表明,薄膜的导电类型从半导体转变为金属。室温电阻率随掺杂量单调下降,变化范围从1 0 1to 1 0 - 4Ω.cm。薄膜的电阻-温度曲线可以利用小极化子模型很好的拟合。这说明薄膜内的载流子主要是极化子。光电子能谱显示在BaTiO3的带隙中存在局域态,进一步说明薄膜内的载流子为极化子。

【刊名】光散射学报

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