Ce掺杂SrBi2Nb2O9系铋层状压电陶瓷的结构与性能研究

作者:陈超;冯子义;杨庆;傅小龙;涂娜;李小红;江向平 刊名:《中国陶瓷》 上传者:刘先兵

【摘要】采用传统固相法制备了SrBi2Nb2O9-x mol%Ce(SBN-xCe,0.00≤x≤0.25)系铋层状压电陶瓷,研究了Ce掺杂对SBN系陶瓷的物相、微观结构与电性能的影响。XRD结果表明所有陶瓷样品均为单一铋层状结构相;介电常数温度曲线表明获得样品的居里温度均高于420℃;随着Ce含量的增加,陶瓷的压电性能先升高后降低,同时其机械品质因数Qm得到显著提高。当x=0.15时,样品各项综合性能达到最佳值:压电常数d33=18 pC/N,平面机电耦合系数kp=7.1%,机械品质因数Qm=1056,居里温度Tc=440℃。

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