TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究

资源类型: 资源大小: 文档分类: 上传者:韩小伟

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【作者】 陶江  赵铁民  张国炳  王阳元  汪锁发  李永洪 

【关键词】TiSi_2 多晶硅 自对准技术 MOSFET MOS电容 临界值 栅氧化层 

【出版日期】1989-10-28

【摘要】本文用反应生成和合金靶溅射两种方法生成了TiSi_2薄膜,并对其形成特性进行了研究,同时将所形成的TiSi_(?)薄膜应用于MOSFET和MOS电容的制作中.结合电学性反的测量和TEM(横截面)在位观察,研究了TiSi_2/多晶硅复合栅结构的特性,发现当多晶硅厚度小于某一临界值时,经高温炉退火后,SiO_2/Si界面将会产生许多新的界面在,SiO_(?)层中会产生缺陷.对离于注入和热扩散掺杂的两种样品,多晶硅层厚度的这个临界值几乎是相同的.根据我们的实验和分析结果,证实了在TiSi_2薄膜的形成过程中所引入的应力是产生上述现象的基本原因.

【刊名】半导体学报

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