全息光刻制备808 nm腔面光栅半导体激光器

作者:王岳;王勇;李占国;尤明慧 刊名:发光学报 上传者:潘玲科

【摘要】利用全息光刻开展了808nm腔面光栅半导体激光器腔面膜系制备;制备与表征了单管芯器件;单管芯器件条宽100μm;腔长2mm;输出中心波长807.32nm;光谱半宽为0.36nm;15~45℃温度范围内波长随温度的漂移系数为0.072nm/℃;室温单管芯最大连续输出功率达到2.8W;阈值电流为0.49A;斜率效率为1.05W/A.测试结果表明808nm腔面光栅半导体激光器实现了单纵模输出.

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第 40 卷 第 9 期 2019 年 9 月 发 光 学 报 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Vol. 40 No. 9 Sept. , 2019 文章编号: 1000-7032(2019)09-1130-06 全息光刻制备 808 nm腔面光栅半导体激光器 王 岳1, 王 勇1, 李占国1∗, 尤明慧2 (1. 长春理工大学 理学院, 吉林 长春 130022; 2. 吉林农业大学 信息技术学院, 吉林 长春 130018) 摘要: 利用全息光刻开展了 808 nm腔面光栅半导体激光器腔面膜系制备,制备与表征了单管芯器件,单管 芯器件条宽 100 μm,腔长 2 mm,输出中心波长 807. 32 nm,光谱半宽为 0. 36 nm,15 ~ 45 ℃温度范围内波长随 温度的漂移系数为 0. 072 nm / ℃,室温单管芯最大连续输出功率达到 2. 8 W,阈值电流为 0. 49 A,斜率效率为 1. 05 W / A。 测试结果表明 808 nm腔面光栅半导体激光器实现了单纵模输出。 关 键 词: 半导体激光器; 波长锁定; 腔面光栅; 全息光刻 中图分类号: TN248. 4 文献标识码: A DOI: 10. 3788 / fgxb20194009. 1130 808 nm Cavity Surface Grating Semiconductor Laser by Holographic Lithography WANG Yue1, WANG Yong1, LI Zhan-guo1∗,YOU Ming-hui2 (1. School of Science, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China; 2. School of Information Technology, Jinlin Agricalture University, Changchun 130018, China) ∗Corresponding Author, E-mail: lzhg000@ 126. com Abstract: The laser holography photolithography technology was designed, the optical path of holog- raphy lithography system was calculated and built based on the designed parameters of cavity grat- ing, and the holography lithography conditions were optimized to fabricate the mask patterns of cavity grating. Based on the design of facet coating films, the facet coating process was investigated by pre- cisely controlling the thickness and uniformity of films to realize the transmissivity, reflectivity, and bandwidth satisfied with the single longitudinal mode

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