RF等离子辅助热丝CVD法制备大面积β-SiC薄膜

资源类型: 资源大小: 文档分类:工业技术 上传者:张健

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【作者】 姜岩峰  郝达兵  黄庆安 

【关键词】碳化硅 成核生长 等离子化学汽相淀积 

【出版日期】2005-06-30

【摘要】采用RF辅助加热CVD方法,在76mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜。设备为电容耦合式RF(13.56MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长。对样品进行了XRD、AFM检查;退火后整个样片膜厚均匀、一致性好、应力低、与衬底的粘附性好。

【刊名】固体电子学研究与进展

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