ZLSi7Cu2Mg合金微弧氧化工艺的研究  

作者:姬磊;刘洪斌;党惊知 刊名:《热加工工艺》 上传者:宋扬

【摘要】针对ZLSi7Cu2Mg合金进行微弧氧化,研究了不同阶段膜层的生长速度以及各工艺参数对膜厚的影响。采用恒流电源,实验过程中以电流、脉数、脉宽及氧化时间作为影响因素。结果表明,起初氧化膜生长速度很快,随氧化进行,生长速度逐渐下降,最后趋于平衡。在所有参数中,电流对于氧化膜最终厚度的影响最为明显。

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《热加工工艺》2016年 3月 第45卷 第 6期 ZLSi7Cu2Mg合金微弧氧化工艺的研究 姬 磊,刘洪斌,党惊知 (中北大学 材料科学与工程学院,山西 太原 030000) 摘 要:针对 ZLSi7Cu2Mg合金进行微弧氧化,研究了不同阶段膜层的生长速度以及各工艺参数对膜厚的影响。采 用恒流电源,实验过程中以电流、脉数、脉宽及氧化时间作为影响因素。结果表明,起初氧化膜生长速度很快 ,随氧化进 行,生长速度逐渐下降,最后趋于平衡。在所有参数中,电流对于氧化膜最终厚度的影响最为明显。 关键词:ZLSi7Cu2Mg;微弧氧化;恒定电流 ;膜厚 DOI:10.14158/j.cnki.1001-3814.2,016.06.051 中图分类号:TG174;TG146.2 文献标识码:A 文章编号:1001-3814(2016)06-0183·02 Research on Micro-arc Oxidation Process of ZLSi7Cu2Mg Aloy Ji Lei.UU Hongbin,DANG Jingzhi (College ofMaterials Science and Engineering,North University ofChina,Taiyuan 030000,China) Abstract:The micro.arc oxidation was caried out on ZLSi7Cu2Mg aloy.The influences of growth rate iIl diferent stages andprocessparameters onthefilm thicknesswere researched.Adopting constant currentpower supply,theparameters including current,rapid pulse,pulse width and oxidation time were taken as influence factors.Th e results show that the oxidation film grows qmcHy at first、Ⅳith the oxida tion proceeding.Th e growth rate gradually declines and at last tends to balance.Th e efects ofcurrentonthe oxidationfilm thicknessalethemost evidentamong altheparameters. Key words:ZLSi7OD.Mg;micro-arc oxidation;constant current;film thickness 随着现代工业及科学技术的发展。人们对材料 的要求越来越高。铝及其合金因具有质轻、耐蚀性 好、塑性大及易~u-r_成型等诸多优点。在适用性上已 成为仅次于钢铁的第二大材料。目前,铝及其合金已 被广泛应用于航天航空、机械制造、电子及建筑业领 域【1. 。但铝合金硬度低,耐磨性、耐蚀性和耐热性差 , 无法达到材料表面保护性要求,作为一种极具潜力 的表面处理方法,微弧氧化工艺为解决这一问题提 供了有效途径。 微弧氧化技术是一种依靠等离子体进行电解 沉积的技术 。是一种在含有某些特殊电解质的电 解液中通过高压、高电流、瞬间高温的放电处理和

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