一种多模式SRAM单粒子试验系统的设计与实现

作者:郑宏超;岳素格;董攀;陈莉明;陈茂鑫 刊名:微电子学与计算机 上传者:陈峰

【摘要】提出了一种基于NIOS II的异步SRAM单粒子效应检测系统,用于评估抗辐射加固SRAM电路的抗单粒子效应能力.该检测系统可以对异步SRAM进行四种工作模式下的动态和静态检测,利用该检测系统在重离子加速器上对一款异步SRAM进行了单粒子效应试验,获得了5种离子的试验数据,统计分析后得到了器件的单粒子翻转阈值、单粒子翻转饱和截面和单粒子翻转在轨错误率,并与国外同款电路进行了对比,最后依据试验结果给出了评估结论.

全文阅读

31卷 第9期2014年9月 微 电 子 学 与 计 算 机 MICROELECTRONICS & COMPUTER Vol.31 No.9September 2014 收稿日期:2013-11-26;修回日期:2014-01-06 一种多模式SRAM 单粒子试验系统的设计与实现 郑宏超,岳素格,董 攀,陈莉明,陈茂鑫 (北京微电子技术研究所,北京100076) 摘 要:提出了一种基于NIOS II的异步SRAM 单粒子效应检测系统,用于评估抗辐射加固SRAM 电路的抗单粒子效应能力.该检测系统可以对异步SRAM 进行四种工作模式下的动态和静态检测,利用该检测系统在重离子加速器上对一款异步SRAM 进行了单粒子效应试验,获得了5种离子的试验数据,统计分析后得到了器件的单粒子翻转阈值、单粒子翻转饱和截面和单粒子翻转在轨错误率,并与国外同款电路进行了对比,最后依据试验结果给出了评估结论. 关键词:存储器;单粒子翻转;嵌入式系统;可编程逻辑门阵列 中图分类号:TP302.8     文献标识码:A     文章编号:1000-7180(2014)09-0092-04 The Design and Realization of a Multi-Mode SRAM SEU TEST System ZHENG Hong-chao,YUE Su-ge,DONG Pan,CHEN Lin-ming,CHEN Mao-xin ( Beijing MicroelectronicsTechnology Institute,Beijing 100076,China) Abstract:This paper presents a NIOS II-based Single Event Effects detection system of asynchronous SRAM,which is used to evaluate the single-event-effect capabilities of anti-radiation hardened SRAM circuit.The detection system can be used for dynamic and static testing of asynchronous SRAM in four operating mode.The experimental data offive kinds'icons are obtained under the heavy ion accelerator by using the detection system with one kindasynchronous SRAM.Single-event-upset threshold、saturated-cross-section and in-orbit-error-rate are taken bystatistical analysis of the results,and the results are compared with the same circuit abroad.Based on theseexperiment results,the assessment conclusion of the device is given at last. Key words:SRAM;SEU;NIOS II;FPGA 1 引言 随着半导体器件工艺的提高,空间应用的抗辐射加固电路面临着越来越严重的单粒子效应威胁,尤其

参考文献

引证文献

问答

我要提问