鳍状场效晶体管的形成方法

资源类型: 资源大小: 文档分类: 上传者:徐逸霏

文档信息

【标题】鳍状场效晶体管的形成方法

【发明人】 黄翊铭  张世杰  杨怀德 

【公开日期】2018-06-05

【摘要】提供一种鳍状场效晶体管装置与其形成方法。方法包括蚀刻凹陷于栅极堆叠两侧上的基板中。方法亦包括外延成长源极/漏极区于每一凹陷中,其中每一源极/漏极区包括沿着个别源极/漏极区的上表面的盖层,且每一源极/漏极区中的第一材料在盖层与下方外延层的界面具有最高浓度。方法亦包括沉积多个金属层于源极/漏极区上,且金属层接触源极/漏极区。方法亦包括进行回火,且在回火后形成金属硅化物区于每一源极/漏极区中,其中每一金属硅化物区延伸穿过盖层并止于盖层与下方外延层的界面。

【类别】发明专利

【公开号】CN108122777A

【申请号】CN201711181814.X

【优先权】20161129 US 62/427,490;20171005 US 15/725,867

【主权项】1.一种鳍状场效晶体管的形成方法,包括:形成一栅极堆叠于一基板上;蚀刻多个凹陷于该基板中,且该些凹陷的一第一凹陷与一第二凹陷分别位于该栅极堆叠的两侧上;分别外延成长多个源极/漏极区于每一该些凹陷中,其中每一该些源极/漏极区包括一盖层沿着该些源极/漏极区的上表面,其中每一该些源极/漏极区中的一第一材料在该盖层与一下方外延层之间的界面具有最高浓度;沉积多个含金属层于每一该些源极/漏极区上并接触每一该些源极/漏极区;以及进行一回火,且在该回火后形成多个金属硅化物区于每一该些源极/漏极区上,其中每一该些金属硅化物区延伸穿过该盖层并止于该下方外延层的表面。

【主题】鳍状场效晶体管的形成方法

【国省名称】中国台湾;TW

【法律状态】在审

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