铝垫刻蚀方法

【摘要】本发明公开了一种铝垫刻蚀方法,本发明在反应腔中,移除光刻胶后,采用大原子量气体对铝垫进行溅射(sputtering),轰击掉了铝表面的氯残留物和氟残留物,从而阻止了它们对铝的侵蚀。使得反应腔中的刻蚀气体对铝的损伤减小到最小,显著降低了刻蚀后铝表面的残留物,从而减少了侵蚀的发生,保证了集成电路的性能。

参考文献

引证文献

问答

我要提问